蚀刻是从材料表面去除材料的过程，蚀刻的两种主要类型是湿蚀刻和干蚀刻（例如，等离子体蚀刻），涉及使用液体化学药品或蚀刻剂去除基板材料的蚀刻工艺称为湿蚀刻，通常所指金属蚀刻加工也被称为化学蚀刻加工，通过制版，经过曝光（紫外线图像转移）到金属上面，将图案显影后，将要蚀刻的保护层去掉，在蚀刻过程中接触化学药水，让两面的图案通过化学腐蚀研磨的作用，形成凹凸和镂空成形的效果，金属蚀刻加工具有很强的针对性的工艺。
在等离子体蚀刻工艺中，也称为干蚀刻，使用等离子体或蚀刻气体来去除衬底材料，干蚀刻会产生气态产物，这些产物应扩散到大量气体中并通过真空系统排出，干蚀刻有三种类型（例如等离子蚀刻）：化学反应（通过使用反应性等离子体或气体），物理去除（通常通过动量传递）以及化学反应和物理去除的组合，干蚀刻：利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分，利用电浆的离子轰击效应和化学反应去掉想去除的部分，从而将所需要的线路图形留在玻璃基板上。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。
